| 发明名称 |
电子发射源及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种电子发射源，包括：一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，其中，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明还提供一种电子发射源的制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN104795300B |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
| 申请号 |
CN201410024494.7 |
申请日期 |
2014.01.20 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
柳鹏;李德杰;张春海;周段亮;杜秉初;范守善 |
| 分类号 |
H01J29/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J29/04(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种电子发射源，包括：一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该半导体层包覆所述多个碳纳米管的部分表面。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
