半导体装置及其制造方法

摘要

在一种制造半导体装置的方法中，形成鳍片结构，包含第一半导体层、置于第一半导体层上的氧化层及置于氧化层上的第二半导体层。形成隔离绝缘层，使得鳍片结构内的第二半导体层突出自隔离绝缘层；而氧化层及第一半导体层则埋于阻隔绝缘层之中。形成第三半导体层于裸露的第二半导体层之上，以形成通道层。藉由此通道层以回复通道宽度，能进行氧化制程以完全形成氧化层，而毋须顾及通道宽度的减小。这使得形成氧化层的制程视窗(process window)变得更广。此外，由于能缩小鳍片结构的宽度(蚀刻制程后)，所以完全形成氧化层的时间可以缩短，因此降低热经历(thermal history)。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包含：形成鳍片结构，其包含第一半导体层、置于所述第一半导体层上的氧化层及置于所述氧化层上的第二半导体层；形成隔离绝缘层，使得所述鳍片结构中的第二半导体层突出于所述隔离绝缘层并裸露出来，而所述氧化层及所述第一半导体层则埋于所述隔离绝缘层之中；以及形成第三半导体层于所述裸露的第二半导体层之上以形成半导体装置的通道。