一种LB量子点薄膜、发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种LB量子点薄膜、发光二极管及其制备方法，LB量子点薄膜制备方法包括步骤：滴加提纯后量子点溶液到水/乙二醇界面，使量子点溶液均匀分散在水/乙二醇界面，待有机溶剂挥发5‑30mins，量子点均匀平铺，控制膜压7.5‑40mN/m，将水/乙二醇下的基底进行疏水化处理，然后使用LB拉膜机提拉，得到单层的LB量子点薄膜；重复上述步骤，得到多层的LB量子点薄膜。本发明LB成膜技术操作稳定方便，可大面积制膜，而且薄膜的厚度精确可控，可实现对LB量子点薄膜层数的控制。将LB量子点薄膜作为量子点发光层的LED器件性能稳定，可以通过调控LB量子点薄膜的厚度来进一步调控LED器件性能。

主权项

一种LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、将量子点分散于有机溶剂中，然后通过过滤器过滤，得到提纯后的量子点溶液；B、滴加提纯后的量子点溶液到水/乙二醇界面，使量子点溶液均匀分散在水/乙二醇界面，待有机溶剂挥发5‑30mins，量子点均匀平铺，控制膜压7.5‑40mN/m，将水/乙二醇下的基底进行疏水化处理，然后使用LB拉膜机提拉，得到单层的LB量子点薄膜；C、再次滴加提纯后的量子点溶液，重复上述步骤B，得到多层的LB量子点薄膜。