| 发明名称 | 一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明将碳膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，碳/氧化镍复合薄膜的表面光滑，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了制备复合薄膜的制备效率，并且其阻变性能明显优于单一的氧化镍薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106340586A | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201610859007.8 | 申请日期 | 2016.09.28 |
| 申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 李颖;赵高扬;杨志孟 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 罗笛 |
| 主权项 | 一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化镍薄膜；步骤2，在步骤1所得氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜；步骤3，使用溅射仪对步骤2所得碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。 | ||
| 地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 | ||