| 发明名称 | 一种体声波器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种体声波器件的制备方法。采用垂直结构发光二极管工艺中常见的激光剥离、电镀铜和倒装焊工艺，有效解决了单晶体声波器件制备过程中难以在底部金属电极上制备高质量单晶氮化物材料这一技术难题，为高性能体声波器件的制备奠定了基础。 | ||
| 申请公布号 | CN106341094A | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201610751285.1 | 申请日期 | 2016.08.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 孙莉莉;张韵;程哲;张连;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | H03H3/02(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H3/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种体声波器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A：在蓝宝石衬底(401)上基于MOCVD技术生长单晶氮化物压电薄膜(402)；步骤B：激光剥离所述蓝宝石衬底；步骤C：在压电薄膜下表面形成底部电极(407)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||