用于制造半导体器件裸片的方法

摘要

本公开涉及用于制造半导体器件裸片的方法。在一个实施例中，晶片包括多个裸片区域，每个裸片区域包括半导体器件并且专用于变成单独的裸片。裸片区域设置在晶片的第一面上，并且其中相邻的裸片区域彼此分开。第一沟槽和第二沟槽形成在相邻的裸片区域之间的第一面上。第一沟槽和第二沟槽通过隆起部彼此间隔开。第三沟槽设置在晶片的第二面上的隆起部上方。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供包括多个裸片区域的晶片，每个裸片区域包括半导体器件并且专用于变成单独的裸片，其中所述裸片区域形成在所述晶片的第一面上，以及其中相邻的裸片区域彼此间隔开；在相邻的裸片区域之间的所述第一面上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽通过隆起部彼此间隔开；以及在所述晶片的第二面上在所述隆起部上方形成第三沟槽，所述第二面与所述第一面相对。