一种减弱硅基液晶边缘场效应的方法

摘要

本发明公开了一种减弱硅基液晶边缘场效应的方法，该硅基液晶的主要结构包括硅衬底、像素电极、复合电极、二氧化硅纳米柱、液晶、铟锡氧化物电极、玻璃基板；在硅基液晶工作时，如对中间像素施加电压，对其相邻像素不施加电压。复合电极（7）实现场增强效应，增强中间像素电场；复合电极（5、9）起到静电屏蔽左右，阻止中间像素电场向相邻像素的扩展；二氧化硅纳米柱（6、8）隔断相邻像素的液晶分子的带动作用；从而减弱边缘场效应。

主权项

一种减弱硅基液晶边缘场效应的方法，其特征在于：在硅衬底上沉积金属作为像素电极（2、3、4） ，在所述像素电极上制备复合电极（5、7、9） ，在像素间隙生长电介质纳米柱（6、8） ，在所述像素电极上蒸镀铝膜作为反射层（10） ，用铟锡氧化物（ITO）导电玻璃作为上基板，在上下基板间灌注液晶；在硅基液晶工作时，对中间像素施加电压，对其相邻像素不施加电压；工作像素上的复合电极（7）实现场增强效应，增强中间像素电场；非工作像素上的复合电极（5、9）起到静电屏蔽作用，阻止中间像素电场向相邻像素的扩展；所述电介质纳米柱 （6、 8） 隔断相邻像素的液晶分子的带动作用，从而减弱边缘场效应。