雪崩光电二极管及其制造方法

摘要

在n型InP衬底(2)上，使i型AlInAs雪崩倍增层(4)生长。在i型AlInAs雪崩倍增层(4)上，使p型AlInAs电场衰减层(5)生长。以覆盖p型AlInAs电场衰减层(5)的上表面的方式，使过渡层(6、7、8)生长。在用过渡层(6、7、8)覆盖p型AlInAs电场衰减层(5)的上表面之后进行升温，在过渡层(6、7、8)上，在比p型AlInAs电场衰减层(5)的生长温度更高的温度下使n‑型InGaAs光吸收层(9)生长。过渡层(6、7、8)的生长温度是比n‑型InGaAs光吸收层(9)的生长温度更低的温度。过渡层(6、7、8)由InGaAsP构成，在处于比p型AlInAs电场衰减层(5)的生长温度更高的温度时比p型AlInAs电场衰减层(5)更难以产生表面缺陷。从而提供抑制生长中的升温导致的热损伤而具有良好的晶体生长界面的雪崩光电二极管及其制造方法。

主权项

一种雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底上，使倍增层生长的工序；在所述倍增层上，在第1温度下使电场衰减层生长的工序；以覆盖所述电场衰减层的上表面的方式，在第2温度下使过渡层生长的工序；在用所述过渡层覆盖所述电场衰减层的上表面之后进行升温，在所述过渡层上在比所述第1温度更高的第3温度下使光吸收层生长的工序，其中，所述第2温度是比所述第3温度更低的温度，所述过渡层由在处于比所述第1温度更高的温度时比所述电场衰减层难以产生表面缺陷的半导体材料构成，所述过渡层为InGaAsP层，至所述过渡层完全覆盖所述电场衰减层的上表面为止，将所述第2温度设为与所述第1温度相同的温度，在所述过渡层覆盖所述电场衰减层的上表面之后，开始所述第2温度的升温。