| 摘要 |
[과제] 사파이어 기판 상에 신규한 III족 극성 성장 방법을 제공하는 것에 있다. [해결수단] MOCVD법에 의해, 사파이어 기판 상에 III족 질화물 단결정층이 적층된 적층체를 제조하는 방법에 있어서, 사파이어 기판 상에 산소원 가스를 공급하는 전처리 공정, 상기 III족 질화물 성장용의 원료 가스와 함께, 산소원 가스를 상기 사파이어 기판 상에 공급함으로써, 산소를 5x1020cm-3 이상 5x1021cm-3 이하의 농도로 함유한 초기 단결정층을 3nm 이상 15nm 미만의 두께로 성장시키는 제1성장 공정 및 상기 초기 단결정층 상에, 산소원을 공급하지 않고 상기 원료 가스를 공급하거나, 혹은 상기 원료 가스와 함께 산소원을 제1성장 공정보다 적은 양을 공급함으로써, 초기 단결정층보다도 산소 농도가 감소된 III족 질화물 단결정층을 성장시키는 제2성장 공정을 포함하는 적층체의 제조방법 |
