发明名称 |
硅控整流器与静电放电箝制电路 |
摘要 |
本发明是关于一种硅控整流器与静电放电箝制电路,其中该硅控整流器包含分离的第一型场、第二型第一场及第二型第二场,形成于第一型井内;连续第一型掺杂区,形成于第一型场内;分段第二型掺杂区,形成于第二型第一场内;及分段第一型掺杂区,形成于第二型第二场内。本发明的一种硅控整流器的新颖架构,其具增强的保持电压。本发明提出另一种多晶硅电阻触发的堆叠硅控整流器,其不会增加触发电压。 |
申请公布号 |
CN106340515A |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201510400312.6 |
申请日期 |
2015.07.09 |
申请人 |
张俊彦;颜祥修;奇景光电股份有限公司 |
发明人 |
张俊彦;颜祥修;张邵勤;江哲维 |
分类号 |
H01L27/082(2006.01)I;H01L29/744(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/082(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种硅控整流器,其特征在于包含:第一型场、第二型第一场及第二型第二场形成于第一型井内,其中该第一型场、该第二型第一场及该第二型第二场彼此分离;连续第一型掺杂区,形成于该第一型场内;分段第二型掺杂区,形成于该第二型第一场内;及分段第一型掺杂区,形成于该第二型第二场内;其中该连续第一型掺杂区的离子剂量大于该第一型场的离子剂量,其再大于该第一型井的离子剂量;该分段第二型掺杂区的离子剂量大于该第二型第一场的离子剂量,其再大于该第一型井的离子剂量;且该分段第一型掺杂区的离子剂量大于该第二型第二场的离子剂量,其再大于该第一型井的离子剂量。 |
地址 |
中国台湾新竹市大学路1001号 |