发明名称 |
一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法,所述方法包括:1)将氮化硅粉体、烧结助剂、粘结剂与水混合球磨,得到水基浆料;2)将水基浆料在50~90kPa的真空度下发泡并同时进行冷冻冻结,然后进行冷冻干燥,从而得到梯度多孔氮化硅陶瓷素坯;3)将梯度多孔氮化硅陶瓷素坯脱粘结剂、烧结得到梯度多孔氮化硅陶瓷材料。 |
申请公布号 |
CN104311114B |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201410548575.7 |
申请日期 |
2014.10.16 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
曾宇平;姚冬旭 |
分类号 |
C04B38/02(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲;郑优丽 |
主权项 |
一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法,其特征在于,所述方法包括:1)将氮化硅粉体、烧结助剂、粘结剂与水混合球磨,得到水基浆料;2)将步骤1)制备的水基浆料直接在50‑90kPa的真空度下梯度发泡并同时进行冷冻冻结 1~48小时,然后进行冷冻干燥,从而得到梯度多孔氮化硅陶瓷素坯;3)将步骤2)制备的梯度多孔氮化硅陶瓷素坯脱粘结剂、烧结得到梯度多孔氮化硅陶瓷材料。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |