发明名称 一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法
摘要 本发明涉及一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法,所述方法包括:1)将氮化硅粉体、烧结助剂、粘结剂与水混合球磨,得到水基浆料;2)将水基浆料在50~90kPa的真空度下发泡并同时进行冷冻冻结,然后进行冷冻干燥,从而得到梯度多孔氮化硅陶瓷素坯;3)将梯度多孔氮化硅陶瓷素坯脱粘结剂、烧结得到梯度多孔氮化硅陶瓷材料。
申请公布号 CN104311114B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201410548575.7 申请日期 2014.10.16
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 曾宇平;姚冬旭
分类号 C04B38/02(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B38/02(2006.01)I
代理机构 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人 曹芳玲;郑优丽
主权项 一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法,其特征在于,所述方法包括:1)将氮化硅粉体、烧结助剂、粘结剂与水混合球磨,得到水基浆料;2)将步骤1)制备的水基浆料直接在50‑90kPa的真空度下梯度发泡并同时进行冷冻冻结 1~48小时,然后进行冷冻干燥,从而得到梯度多孔氮化硅陶瓷素坯;3)将步骤2)制备的梯度多孔氮化硅陶瓷素坯脱粘结剂、烧结得到梯度多孔氮化硅陶瓷材料。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号