一种二极管芯片酸洗工艺

摘要

本发明涉及一种二极管芯片酸洗工艺，所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110‑125s，二次酸洗清洗时间70‑78s；所述一次酸洗的清洗液为HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂SO₄的混合液，所述二次酸洗的清洗液为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液；所述一次酸洗液中HNO₃：HF：CH₃COOH和H₂SO₄的体积比为9:9:12:4；所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的体积比为1:0.8:3:0.2。本发明的优点在于：本发明的酸洗工艺中，在二次酸洗液中加入了冰醋酸，利用冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸铅，避免硫酸铅会吸附到芯片的侧面，提高了二极管芯片的电性能。

主权项

一种二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110‑125s，二次酸洗清洗时间70‑78s；所述一次酸洗的清洗液为HNO₃、HF、CH₃COOH 和H₂SO₄的混合液，二次酸洗的清洗液为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液。