| 发明名称 | 一种磁电耦合多铁性材料BiMn<sub>3</sub>Cr<sub>4</sub>O<sub>12</sub>的制备方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种磁电耦合多铁性材料及其制备方法，所述新型磁电耦合多铁性材料的化学式为BiMn<sub>3</sub>Cr<sub>4</sub>O<sub>12</sub>。制备所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn<sub>3</sub>Cr<sub>4</sub>O<sub>12</sub>的方法包括：把纯度高于99.9％的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Mn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>按摩尔比1:3:4混合后充分研磨、筛选；将筛选过的原料装入金或铂金胶囊并压实；高温高压固相反应。所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn<sub>3</sub>Cr<sub>4</sub>O<sub>12</sub>具有弱铁磁自旋序、较大的介电常数和电偶极化强度，以及较高的临界温度，在自旋电子器件、多态存储器件等领域有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104671755B | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201510069601.2 | 申请日期 | 2015.02.10 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 龙有文;周龙;殷云宇 |
| 分类号 | C04B35/12(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 主权项 | 一种磁电耦合多铁性材料，其化学式为BiMn<sub>3</sub>Cr<sub>4</sub>O<sub>12</sub>。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||