| 发明名称 | 发光二极管封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开一种发光二极管封装结构，包含：一凹槽，由一底部与至少一边墙所形成；以及一发光元件，设置于该底部上，该底部相对的两侧位置为一非对称结构；该至少一边墙的数量为两个，包含一第一边墙及一第二边墙，该发光元件迭设于一内表面，该第一边墙与该第二边墙分别位于该底部的相对两侧，并凸出于该底部的该内表面，该第一边墙具有一第一反射面，该第二边墙具有一第二反射面，该第二反射面非对称于该第一反射面。 | ||
| 申请公布号 | CN205900582U | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201620652932.9 | 申请日期 | 2016.06.23 |
| 申请人 | 东莞艾笛森光电有限公司 | 发明人 | 蔡尚勳;沈建佑 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人 | 董博 |
| 主权项 | 一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：一凹槽，由一底部与至少一边墙所形成；以及一发光元件，设置于该底部上，该底部相对的两侧位置为一非对称结构；该至少一边墙的数量为两个，包含一第一边墙及一第二边墙，该发光元件迭设于一内表面，该第一边墙与该第二边墙分别位于该底部的相对两侧，并凸出于该底部的该内表面，该第一边墙具有一第一反射面，该第二边墙具有一第二反射面，该第二反射面非对称于该第一反射面。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市横沥镇西城一区 | ||