| 发明名称 | 电阻型随机存取存储装置 | ||
| 摘要 | 根据实施例的电阻型随机存取存储装置包括第一电极、第二电极以及被置于所述第一电极与第二电极之间的可变电阻部分。该可变电阻部分包括第一绝缘层、第二绝缘层，以及晶层，所述晶层被置于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间，具有高于第一电极的电阻率、并且是结晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN104064672B | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201310406691.0 | 申请日期 | 2013.09.09 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 石川贵之;藤井章辅;宫川英典;田中洋毅;斋藤真澄 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 周良玉;杨晓光 |
| 主权项 | 一种电阻型随机存取存储装置，包括：第一电极；第二电极；以及可变电阻部分，其被布置在所述第一电极与第二电极之间，所述可变电阻部分包括：第一绝缘层；第二绝缘层；以及晶层，其被布置在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间，具有高于第一电极的电阻率，并且是结晶体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||