| 发明名称 | 鳍栅格上的单元和宏布置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及了一种管芯，该管芯包括至少一个标准单元，该标准单元包括第一边界和与第一边界相对的第二边界。第一边界和第二边界平行于第一方向。至少一个标准单元另外包括第一多个FinFET，其包括平行于第一方向的第一半导体鳍。管芯另外包括至少一个存储器宏，其具有第三边界和与第三边界相对的第四边界。第三边界和第四边界平行于第一方向。至少一个存储器宏包括第二多个FinFET，其包括平行于第一方向的第二半导体鳍。在至少一个标准单元和至少一个存储器宏中的所有半导体鳍均具有等于第一半导体鳍和第二半导体鳍的最小间距的整数倍的间距。本发明还提供了一种鳍栅格上的单元和宏布置。 | ||
| 申请公布号 | CN104009032B | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201410064299.7 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨国男;林周坤;高章瑞;蔡逸群;赵坚如;王中兴 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种管芯，包括：至少一个标准单元，包括：第一边界和相对于所述第一边界的第二边界，其中，所述第一边界和所述第二边界平行于第一方向；多个第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括平行于所述第一方向的第一半导体鳍；以及至少一个存储器宏，其中，所述至少一个标准单元和所述至少一个存储器宏是不同类型的单元，包括：第三边界和相对于所述第三边界的第四边界，其中，所述第三边界和所述第四边界平行于所述第一方向；和多个第二鳍式场效应晶体管，包括平行于所述第一方向的第二半导体鳍，其中，所述至少一个标准单元中的所有半导体鳍和所述至少一个存储器宏中的所有半导体鳍的间距均等于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的最小间距的整数倍。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||