一种基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计

摘要

本发明公开了一种基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，包括：晶圆外框，包括相互垂直的横框和竖框；磁源，固定设于所述竖框上；检验质量块，由一垂直设于所述横框上的支撑梁支撑；巨磁阻芯片，安装于所述检验质量块上，所述巨磁阻芯片的中心点到所述横框的距离与所述磁源的中心点到所述横框的距离相等，巨磁阻芯片的磁敏感方向与磁源的磁矩方向相同，且检验质量块在加速度作用下的位移方向与磁矩方向在同一直线上。该基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大的优点。

主权项

一种基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，包括：晶圆外框，包括相互垂直的横框和竖框；磁源，固定设于所述竖框上；检验质量块，由一垂直设于所述横框上的支撑梁支撑；巨磁阻芯片，安装于所述检验质量块上，所述巨磁阻芯片的中心点到所述横框的距离与所述磁源的中心点到所述横框的距离相等，所述巨磁阻芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同，且所述检验质量块在加速度作用下的位移方向与所述磁矩方向在同一直线上。