一种TFT基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种TFT基板的制备方法。该TFT基板的制备方法通过将数据线与栅电极、栅线设在同一层，通过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔以及像素电极层的倒L形的第一连接线连接数据线和源电极。该TFT基板的制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少3次光刻，简化TFT制备工艺，降低生产成本提高生产效率，工艺步骤越少，产品的良品率越高，品质越容易控制。

主权项

一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在透明基板上依次沉积第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二金属层；S2：在所述第二金属层上涂覆第一光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成数据线、栅线、栅电极、第一绝缘层、半导体沟道、源电极和漏电极；S3：在S2所述的基板上沉积第二绝缘层；S4：在所述第二绝缘层上涂覆第二光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成分别位于数据线、源电极和漏电极上方的第二绝缘层的第一过孔、第二过孔和第三过孔，以及像素电极、数据线和源电极的倒L形的第一连接线、漏电极和像素电极的第二连接线。