发明名称 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME
摘要 반도체 집적 회로는 제1 배선층에 형성되는 제1 전원 라인을 포함하는 제1 매크로 셀(macro cell), 제1 배선층에 형성되는 제2 전원 라인을 포함하는 제2 매크로 셀, 제1 연결부 및 제3 전원 라인을 포함한다. 제2 매크로 셀은 상기 제1 매크로 셀과 인접한다. 제1 연결부는 제1 전원 라인과 제2 전원 라인을 전기적으로 연결하도록 제1 배선층에 형성된다. 제3 전원 라인은 제1 배선층과 다른 제2 배선층에 형성되고, 제1 및 제2 전원 라인들에 제1 전원 전압을 제공하도록 제1 전원 라인과 전기적으로 연결된다.
申请公布号 KR20170006457(A) 申请公布日期 2017.01.18
申请号 KR20150097092 申请日期 2015.07.08
申请人 삼성전자주식회사 发明人 허훈
分类号 H01L27/04;H01L21/768;H01L21/82 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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