发明名称 PHOTORESIST COMPOSITION FOR EXTREME ULTRAVIOLET AND METHOD OF FORMING PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME
摘要 극자외선용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다. 포토레지스트 조성물에 OOB 흡수 물질을 포함하여, 100 내지 300nm 파장의 광을 흡수하여 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 분해능을 향상시킬 수 있다. OOB 흡수 물질은 노광된 포토레지스트막을 현상하는 동안 제거됨으로써, OOB 흡수 물질을 제거하는 공정이 따로 필요하지 않을 수 있다.
申请公布号 KR20170006341(A) 申请公布日期 2017.01.18
申请号 KR20150096724 申请日期 2015.07.07
申请人 삼성전자주식회사 发明人 박철홍;고차원;김현우;우상윤;전혜진
分类号 G03F7/004;G03F7/039 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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