| 摘要 |
본 발명은, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법으로서, 상기 반도체 웨이퍼를 SC1 세정액에 의해 세정하는 공정과, 상기 SC1 세정액에 의해 세정된 반도체 웨이퍼를 불산에 의해 세정하는 공정과, 상기 불산으로 세정 반도체 웨이퍼를 오존 농도가 3ppm 이상인 오존수에 의해 세정하는 공정을 포함하며, 상기 SC1 세정액에 의한 반도체 웨이퍼의 에칭 마진을 0.1 내지 2.0nm로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정방법이다. 이에 의해, 세정에 의한 웨이퍼의 표면 거칠기의 악화를 저감시키고, 또한 효과적으로 웨이퍼의 세정을 실시할 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정방법이 제공된다. |
