非对称金属‑氧化物‑半导体晶体管

摘要

本发明提供了混合栅极的金属氧化物半导体晶体管。该晶体管可以具有表现出增大的输出电阻的非对称配置。每个晶体管可以由形成在半导体上的栅极绝缘层形成。栅极绝缘层可以是高K的材料。在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。栅极长度可以比半导体制造设计规则所指定的最小值大。晶体管栅极可以由具有不同功函数的第一栅极导体和第二栅极导体形成。在给定晶体管中的第一栅极导体和第二栅极导体的相对尺寸控制晶体管的阈值电压。还可以使用计算机辅助设计工具来从用户那里接收电路设计。该工具可以产生用于特定设计的制造掩模，该设计包括具有优化的阈值电压的混合栅极晶体管以符合电路设计标准。

主权项

一种使用电路设计系统设计集成电路的方法，所述集成电路包含多个混合栅极的金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管均具有相关的成对的栅极导体，所述相关的成对的栅极导体具有各自不同的功函数以及各自的栅极导体长度和相关的栅极导体长度比率，包括：使用所述电路设计系统，以允许电路设计人员指定所需要的电路设计；以及产生并存储用于光刻掩模的掩模设计，其中对于至少一些所述混合栅极的晶体管来说，栅极导体长度比率不同。