| 发明名称 | 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜。在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3‑6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104392875B | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201410558893.1 | 申请日期 | 2014.10.20 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 胡文波;樊金龙;赵晓磊;吴胜利;张劲涛 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 陆万寿 |
| 主权项 | 一种纳米硅/氮化硅薄膜电子源，其特征在于：包括依次沉积在基底(4)上的底电极(1)、纳米硅/氮化硅层(2)以及顶电极(3)；其中，纳米硅/氮化硅层(2)采用镶嵌有纳米晶硅(22)的氮化硅(21)薄膜，相邻纳米晶硅(22)间的氮化硅(21)的厚度为0.5‑1.5nm；或者纳米硅/氮化硅层(2)采用纳米晶硅(22)层与氮化硅(21)层交替组成的多层薄膜，每层氮化硅(21)的厚度为0.5‑1.5nm；纳米硅/氮化硅层(2)中的纳米晶硅(22)的粒径为3‑6nm；纳米硅/氮化硅层(2)的厚度为100‑2000nm。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 | ||