用于多植入的对位基板的装置与方法

摘要

揭示一种在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的装置及方法。在基板(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。

主权项

一种处理基板的方法，包含：将离子植入于基板，以建立植入特征；判定所述植入特征的位置；将基准配置于所述基板上对应于所述植入特征的已知位置；在将所述离子植入于所述基板之后，对所述基板进行热退火，其中所述植入特征在所述热退火之前为光学可见的，且所述植入特征在所述热退火之后为非光学可见的，并且其中所述基准在所述热退火之后为光学可见的；在后续处理步骤中，检测所述基准的位置；以及在所述后续处理步骤期间，使用所述基准的位置来与所述植入特征对位。