发明名称 | 一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法,所述铁氧化物薄膜包含反铁磁性氧化亚铁薄层、以及在所述反铁磁性氧化亚铁薄层上外延生长的亚铁磁性四氧化三铁薄层。 | ||
申请公布号 | CN104313685B | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
申请号 | CN201410581890.X | 申请日期 | 2014.10.27 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 朱秋香;李效民;郑仁奎;高相东 |
分类号 | C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
主权项 | 一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,所述铁氧化物薄膜包含反铁磁性氧化亚铁薄层、以及在所述反铁磁性氧化亚铁薄层上外延生长的亚铁磁性四氧化三铁薄层,所述铁氧化物薄膜沉积在钛酸锶层表面或钛酸锶单晶表面上,所述反铁磁性氧化亚铁薄层在钛酸锶层表面或钛酸锶单晶表面外延生长,所述方法包括:1)以钛酸锶为靶材,在基材上进行脉冲激光沉积得到钛酸锶层,或者预处理钛酸锶单晶衬底;2)以氧化铁为靶材,在步骤1)制备的钛酸锶层或钛酸锶单晶衬底上进行脉冲激光沉积,得到所述铁氧化物薄膜,其中,脉冲激光沉积技术的参数为:先将脉冲激光沉积系统的本底抽真空至≦5×10<sup>‑4</sup>Pa,并加热基材或钛酸锶单晶衬底至350‑550℃,再将反应室真空抽至≦3×10<sup>‑4</sup>Pa进行沉积,沉积温度300‑600℃,激光能量密度3‑7J/cm<sup>2</sup>,沉积速率1.5~2nm/分钟。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 |