铜互连大马士革工艺方法

摘要

一种铜互连大马士革工艺方法，包括：在下部铜层上沉积第一氮化硅层、顶层通孔氧化层、第二氮化硅层以及第一光刻胶；利用形成图案的第一光刻胶对第二氮化硅层进行刻蚀以形成第二氮化硅层沟槽；在第二氮化硅层上布置顶层沟槽氧化层和第二光刻胶，并形成第二光刻胶的图案；利用第二光刻胶对顶层沟槽氧化层、第二氮化硅层、顶层通孔氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，在顶层沟槽氧化层和第二氮化硅层中形成与第二光刻胶的图案相对应的沟槽，在顶层通孔氧化层和第一氮化硅层中形成与第二氮化硅层沟槽相对应的沟槽；利用铜对顶层沟槽氧化层、第二氮化硅层、顶层通孔氧化层和第一氮化硅层中的沟槽进行填充，执行化学机械研磨，以形成与下部铜层的电气连接。

主权项

一种铜互连大马士革工艺方法，其特征在于依次执行下述步骤：第一步骤，用于在下部铜层上依次沉积第一氮化硅层、顶层通孔氧化层、第二氮化硅层以及第一光刻胶；第二步骤，用于形成第一光刻胶的图案，并利用形成图案的第一光刻胶对第二氮化硅层进行刻蚀以形成第二氮化硅层沟槽，随后去除第一光刻胶；第三步骤，用于在第二氮化硅层上依次布置顶层沟槽氧化层和第二光刻胶，并且形成第二光刻胶的图案；第四步骤，用于利用形成图案的第二光刻胶对顶层沟槽氧化层、第二氮化硅层、顶层通孔氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，从而在顶层沟槽氧化层和第二氮化硅层中形成与第二光刻胶的图案相对应的沟槽，并且在顶层通孔氧化层和第一氮化硅层中形成与第二氮化硅层沟槽相对应的沟槽；第五步骤，用于利用铜对顶层沟槽氧化层、第二氮化硅层、顶层通孔氧化层和第一氮化硅层中的沟槽进行填充，随后执行化学机械研磨，以形成与下部铜层的电气连接。