一种大容量薄膜电容器

摘要

本发明属于电容器技术领域，具体涉及一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，所述基板为多层基板，所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。本发明中利用多层基板的结构形式，使薄膜电容器与印刷电路板能够很好的结合，简化操作过程，稳定性较好；利用双层电介质层，其中含胍化合物的下层电介质与多层基板上层的单晶硅基板相结合，不仅提高了双层电介质层的介电常数，具有较好的可加工性，同时具有较好的耐用性；利用单晶硅基板提高电极的比表面积，增加电介质与电机的接触面积，提高其薄膜电容器的电容量，其电容量为相同尺寸普通电极薄膜电容量的2倍以上。

主权项

一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，其特征在于，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3‑4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比不小于99.97%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.003‑0.005%，银0.006‑0.008%，钨0.0008‑0.0012%，锰0.01‑0.012%，铟0.0004‑0.0008%，钼0.004‑0.006%，锶0.0002‑0.0006%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。