用于镭射剥离处理的晶圆结构

摘要

本发明公开一种用于镭射剥离处理的晶圆结构，其包含一载板、一剥离层、一接合层与一半导体晶圆。并将剥离层设置于载板的其中一面。接合层设置于剥离层的其中一面且远离载板。半导体晶圆设置于该接合层的其中一面且远离剥离层。其中在该载板上方接收波长介于193nm至400nm之间的镭射光，该剥离层的厚度为大于0.2倍的吸收长度，而小于1倍的该吸收长度，该吸收长度为镭射光在该剥离层上操作的波长。

主权项

一种用于镭射剥离处理的晶圆结构，其特征在于，包含：一载板；一剥离层，配置于该载板的其中一面；一接合层，配置于该剥离层的其中一面且远离该载板；以及一半导体晶圆，配置于该接合层的其中一面且远离该剥离层；其中，以一镭射光照射该载板，该镭射光的光学波长范围介于193nm至400nm之间，该镭射光操作在该剥离层具有一吸收长度，该剥离层的厚度大于0.2倍的该吸收长度并且小于1倍的该吸收长度。