发明名称 阵列基板及其制备方法、显示装置
摘要 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置,所述阵列基板的制备方法包括以下步骤:S1.在衬底基板上形成包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极的图案;S2.在完成步骤S1的衬底基板上形成透明导电层,通过一次构图工艺同时形成包括像素电极和数据线的图案。本发明提供的阵列基板通过一次构图工艺同时形成像素电极和数据线,减少的制造工艺步骤,节省了生产成本,提高了生产效率;进一步,使用石墨烯或纳米银线材料制作透明导电层并形成像素电极和数据线,使像素电极和数据线均具有较低电阻值和较高的光透过率的性能,从而提升了阵列基板的性能。
申请公布号 CN103928401B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201410129048.2 申请日期 2014.04.01
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 发明人 郭建
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李迪
主权项 一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.在衬底基板上形成包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极的图案;S2.在完成步骤S1的衬底基板上形成透明导电层,通过一次构图工艺同时形成包括像素电极和数据线的图案;所述步骤S2中,所述透明导电层采用纳米银材料形成;所述步骤S2具体包括:在完成步骤S1的衬底基板上依次形成透明导电层和平坦化层,然后通过一次构图工艺同时形成包括所述像素电极和数据线的图案;所述步骤S2具体包括以下步骤:在完成步骤S1的衬底基板上依次形成透明导电层和平坦化层;在所述平坦化层上形成光刻胶层,对所述光刻胶层进行曝光、显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,所述光刻胶保留区域对应待形成的数据线和像素电极的图案,剩余的为所述光刻胶去除区域;对所述光刻胶去除区域对应的所述平坦化层采用干法刻蚀,使所述平坦化层形成与待形成的像素电极和数据线的图案对应的图案;再对所述光刻胶去除区域对应的已刻蚀掉的平坦化层下方的所述透明导电层采用湿法刻蚀,使所述透明导电层形成包括数据线和像素电极的图案,之后去除所述光刻胶保留区域的光刻胶。
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