发光二极管制造方法及发光二极管

摘要

一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层，所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域；对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域；以及在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型氮化镓层。所述布拉格反射层可阻挡未掺杂的GaN层中的缺陷向上延伸，从而降低发光二极管的晶体缺陷。同时，布拉格反射层的高反射率特性也可以提高元件的出光效率。本发明还提供了一种由上述方法所制造的发光二极管。

主权项

一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层，所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域；对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域；以及在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。