发明名称 一种氧化铋薄膜材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种氧化铋薄膜材料的制备方法,该方法以三苯基铋、氧气为原料,基于脉冲方式依次进源、利用表面吸附化学反应生成氧化铋薄膜。本发明具有可在各种衬底上大面积成膜、重复性好、可控性高等优点;所制得的氧化铋薄膜在光学涂层、光催化等领域具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN104451600B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201410726713.6 申请日期 2014.12.04
申请人 华东师范大学 发明人 李亚巍;乔琦;褚君浩
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人 徐筱梅;张翔
主权项 一种氧化铋薄膜材料的制备方法,其特征在于该方法包括以下具体步骤:a、原料原料包括:铋源即三苯基铋、氧气,氮气或氩气作为载气和冲洗气体,载气纯度至少为99.999%;b、衬底的清洗和安装将衬底依次用纯净水及无水酒精冲洗,用氮气吹干,放置于样品托盘上,送入原子层沉积系统或化学气相沉积系统的真空反应腔,抽真空使真空度达到1~3hpa;c、薄膜材料的制备对真空反应腔加热,使反应腔中的样品托盘和衬底温度保持在250~320℃ ;对装有三苯基铋的源瓶加热,使其温度保持在160~320℃,氧气和氮气按照95∶5的体积比混合均匀后,通过臭氧发生器产生臭氧气体;沉积系统内通入氮气或氩气,使反应腔内及中间空间气压分别保持在1~3hpa和6~15hpa;将铋源及氧源依次通过管道送进真空反应腔体,每次送入原料后通入惰性气体脉冲进行冲洗真空反应腔,对样品托盘上的衬底多重循环生长,每个生长循环包括以下四个脉冲:i、三苯基铋脉冲0.2~8秒,使用氮气或氩气作为载气输送到反应腔;ii、氮气或氩气冲洗腔体2~8秒;iii、臭氧脉冲8~20秒;iv、氮气或氩气冲洗腔体3~8秒;利用自限制表面吸附效应,制得氧化铋薄膜,生长速率为0.023纳米/循环。
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