| 发明名称 | 二极管的制备方法及二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种二极管的制备方法和一种二极管，其中，所述方法包括：在衬底结构的第一外延层上形成氧化层；对所述第一外延层和所述氧化层进行刻蚀，以形成与所述第一外延层接触的沟槽；在所述沟槽中填充第二外延层，形成超结结构，以完成所述二极管的制备。通过本发明的技术方案，有效地提高了二极管的外延层的浓度，降低了外延层的电阻率，从而在保证二极管耐压的同时还可降低二极管的电阻，提高了电流密度，进而降低了二极管的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN106340453A | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201510395286.2 | 申请日期 | 2015.07.07 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种二极管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底结构的第一外延层上形成氧化层；对所述第一外延层和所述氧化层进行刻蚀，以形成与所述第一外延层接触的沟槽；在所述沟槽中填充第二外延层，形成超结结构，以完成所述二极管的制备。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||