发明名称 一种单晶硅双面太阳电池
摘要 本实用新型公开了一种单晶硅双面太阳电池,属于太阳电池技术领域,在单晶硅衬底的正面依次形成正面金字塔形绒面、正面掺杂发射结、正面钝化减反介质层以及正面电极,在单晶硅衬底的背面依次形成背面金字塔形绒面、背表面场、背面钝化减反介质层以及背面电极,其特征在于:所述背面金字塔形绒面为分离型金字塔形绒面,金字塔结构仅部分地覆盖单晶硅衬底,金字塔结构分散地分布在硅衬底上,被金字塔结构覆盖的区域占背面硅衬底的20%‑90%。本实用新型可优化双面太阳电池的少数载流子表面复合和光学吸收特性,提高量子转换效率。
申请公布号 CN205900556U 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201620450535.3 申请日期 2016.05.17
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 盛赟
分类号 H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0216(2014.01)I
代理机构 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人 郭小丽
主权项 一种单晶硅双面太阳电池,在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面金字塔形绒面(101)、正面掺杂发射结(102)、正面钝化减反介质层(103)以及正面电极(104),在单晶硅衬底的背面依次形成背面金字塔形绒面(105)、背表面场(106)、背面钝化减反介质层(107)以及背面电极(108),其特征在于:所述背面金字塔形绒面(105)为分离型金字塔形绒面,金字塔结构(105a)仅部分地覆盖单晶硅衬底,金字塔结构(105a)分散地分布在硅衬底上,被金字塔结构(105a)覆盖的区域占背面硅衬底的20%‑90%。
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