| 摘要 |
본 발명의 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체를 액티브층으로 사용한 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체층과 절연층을 연속 증착하여 에치 스타퍼(etch stopper)를 형성함으로써 백 채널(back channel)의 오염을 방지하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 절연층의 식각 시 노출된 산화물 반도체층은 산소 플라즈마를 통해 저항이 감소되어 콘택영역을 형성함에 따라 데이터 배선을 형성할 때 액티브층을 동시에 패터닝함으로써 공정을 단순화하는 것을 특징으로 한다. |
