Semiconductor device and Method of fabricating the same

摘要

반도체 소자를 제공한다. 반도체 소자는, 기판 상에 형성되고 산화물을 포함하는 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 마스크, 게이트 전극 및 마스크 측벽에 형성되고 산화물을 포함하는 제1 캡핑 패턴, 그리고, 상기 제1 캡핑 패턴 상에 형성되고 질화물을 포함하는 제2 캡핑 패턴을 포함할 수 있다.