硅通孔绝缘层制备方法

摘要

本发明提供了一种硅通孔绝缘层制备方法，包括：第一步骤，用于利用先形成器件然后形成通孔的硅通孔工艺在半导体衬底中形成半导体器件和硅通孔；第二步骤，用于利用亚常压化学气相沉积工艺在形成有半导体器件和硅通孔的半导体衬底上沉积第一厚度的第一绝缘层；第三步骤，用于利用原子层沉积工艺在第一步骤所形成的第一绝缘层上直接沉积第二厚度的第二绝缘层；第四步骤，用于在第二步骤所形成的第二绝缘层上直接沉积扩散阻挡层。

主权项

一种硅通孔绝缘层制备方法，其特征在于包括：第一步骤，用于利用先形成器件然后形成通孔的硅通孔工艺在半导体衬底中形成半导体器件和硅通孔，硅通孔的直径为1‑50um，硅通孔的深度为10‑500um；第二步骤，用于利用亚常压化学气相沉积工艺在形成有半导体器件和硅通孔的半导体衬底上沉积第一厚度的第一绝缘层；第三步骤，用于利用原子层沉积工艺在第二步骤所形成的第一绝缘层上直接沉积第二厚度的第二绝缘层，所述第一厚度大于所述第二厚度；第四步骤，用于在第三步骤所形成的第二绝缘层上直接沉积扩散阻挡层。