发明名称 能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜及制备
摘要 本发明提供了一种能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,包括:镀在电荷耦合元件的紫外接收面上的底部反射镜、镀在底部反射镜表面的荧光材料层、以及镀在荧光材料层表面的顶部反射镜,其中,顶部反射镜从荧光材料层向外依次由九层高折射率材料层和八层低折射率材料层交替重叠构成,底部反射镜依次由六层高折射率材料层和五层低折射率材料层交替重叠组成。本发明还提供了该光学薄膜的制备方法。本发明所提供的光学薄膜能够增强CCD的紫外响应能力,并且能够消弱荧光材料层的自吸收,增加荧光材料层的发光效率和CCD接收的有效发光能量,且该光学薄膜的制备方法较为简单,成本较低,易于实现批量生产,适合工业应用。
申请公布号 CN103943646B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201410165934.0 申请日期 2014.04.23
申请人 上海理工大学 发明人 陶春先;崔潇;何梁;洪瑞金;张大伟
分类号 H01L27/148(2006.01)I;H01L21/339(2006.01)I 主分类号 H01L27/148(2006.01)I
代理机构 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人 郁旦蓉
主权项 一种能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,其特征在于,包括:镀在所述电荷耦合元件的紫外接收面上的底部反射镜、镀在所述底部反射镜表面的荧光材料层、以及镀在所述荧光材料层表面的顶部反射镜,其中,所述顶部反射镜从所述荧光材料层向外依次包括厚度为59.0nm±5nm的高折射率材料层、厚度为88.3nm±5nm的低折射率材料层、厚度为62.4nm±5nm的高折射率材料层、厚度为90.9nm±5nm的低折射率材料层、厚度为62.1nm±5nm的高折射率材料层、厚度为91.2nm±5nm的低折射率材料层、厚度为63.3nm±5nm的高折射率材料层、厚度为91.4nm±5nm的低折射率材料层、厚度为63.1nm±5nm的高折射率材料层、厚度为93.3nm±5nm的低折射率材料层、厚度为62.6nm±5nm的高折射率材料层、厚度为92.2nm±5nm的低折射率材料层、厚度为64.4nm±5nm的高折射率材料层、厚度为86.2nm±5nm的低折射率材料层、厚度为38.2nm±5nm的高折射率材料层、厚度为15.0nm±5nm的低折射率材料层、以及厚度为9.3nm±5nm的高折射率材料层,所述底部反射镜依次由六层高折射率材料层和五层低折射率材料层交替重叠组成,该高折射率材料层的厚度均为61.7nm±5nm,该低折射率材料层的厚度均为88.7nm±5nm,所述高折射率材料层由高折射率材料制成,所述低折射率材料层由低折射率材料制成,所述荧光材料层由荧光材料制成,所述荧光材料层厚度为120nm~180nm之间的任意数值。
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号