发明名称 |
鳍式FET技术的集成热电器件 |
摘要 |
可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向,将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上,可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。 |
申请公布号 |
CN106340582A |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201610010247.0 |
申请日期 |
2016.01.07 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
王仲盛;施教仁;徐晓萱 |
分类号 |
H01L35/00(2006.01)I;H01L35/02(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;李伟 |
主权项 |
一种热电器件,包括:衬底;第一鳍结构,设置在所述衬底上;第一连接层,设置在所述第一鳍结构的第一端上;第二连接层,设置在所述第一鳍结构的第二端上,所述第一鳍结构电耦合至所述第一连接层和所述第二连接层;第一导热结构,热耦合至所述第一鳍结构的第一端;和第二导热结构,热耦合至所述第一鳍结构的第二端,所述第一鳍结构配置为基于流经所述第一鳍结构的电流的方向,将热量从所述第一导热结构和所述第二导热结构中的一个导热结构转移至另一个导热结构。 |
地址 |
中国台湾新竹 |