发明名称 |
石墨烯纳米图案的形成方法、装置及装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了形成石墨烯纳米图案的方法、包含石墨烯的装置以及制造该包含石墨烯的装置的方法。形成石墨烯纳米图案的方法可以包括在基板上形成石墨烯层、在石墨烯层上和基板的被暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域上形成嵌段共聚物层、通过去除嵌段共聚物的多个第一区和多个第二区之一而由嵌段共聚物层形成掩模图案,和通过使用掩模图案作为蚀刻掩模将石墨烯层图案化成纳米级。嵌段共聚物层可以形成为直接接触石墨烯层。嵌段共聚物层可以形成为直接接触基板结构的暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域。 |
申请公布号 |
CN106340442A |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201610397903.7 |
申请日期 |
2016.06.07 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
郑盛骏;朴晟准;李润姓 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
屈玉华 |
主权项 |
一种形成石墨烯纳米图案的方法,该方法包括:在基板上提供石墨烯层,所述石墨烯层具有比所述基板小的宽度;在所述石墨烯层上和所述基板的暴露在所述石墨烯层的至少一侧上的区域上形成嵌段共聚物层,所述嵌段共聚物层包括平行于所述石墨烯层布置的多个第一区和多个第二区,所述多个第一区中的一个沿着所述石墨烯层的边缘部分布置;通过去除所述嵌段共聚物层的所述多个第一区和所述多个第二区之一,由所述嵌段共聚物层形成掩模图案;和通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模将所述石墨烯层图案化成纳米级。 |
地址 |
韩国京畿道 |