SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND METHODS USING CAPACITIVELY COUPLED PLASMA

摘要

프로세스 챔버 내부에 위치된 용량 결합형 플라즈마(CCP) 유닛을 가지는 기판 프로세싱 시스템이 설명된다. CCP 유닛이 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 플라즈마 여기 영역을 포함할 수 있다. 제 1 전극은 제 1 가스가 플라즈마 여기 영역으로 유입되도록 허용하기 위한 제 1의 복수의 개구부들을 포함할 수 있고, 그리고 제 2 전극은 활성화된 가스가 플라즈마 여기 영역을 빠져나오도록 허용하기 위한 제 2의 복수의 개구부들을 포함할 수 있다. 시스템은 제 1 가스를 CCP의 제 1 전극으로 공급하기 위한 가스 유입구, 및 기판을 지지하도록 동작 가능한 받침대를 더 포함할 수 있다. 받침대는 가스 반응 영역 아래에 위치되며, 활성화된 가스가 CCP 유닛으로부터 상기 가스 반응 영역 내로 이동한다.