发明名称 一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法
摘要 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物(TCO)薄膜的镀膜设备及镀膜方法,其中,所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点,把两种镀膜有效地融合,针对器件中对TCO薄膜的不同需求,可以在不暴露大气的条件下,连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜,获得高速的沉积速率,同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜,且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。
申请公布号 CN106340570A 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201610975301.5 申请日期 2016.10.27
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 刘正新;孟凡英;石建华
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 刘星
主权项 一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于,所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号