| 摘要 |
본 발명은 클리닝에 요하는 시간을 단축할 수 있는 기술을 제공한다. 반응관과 상기 반응관을 지지하는 매니폴드로 구성되는 처리실 내의 기판에 대하여 상기 매니폴드에 설치되고 상기 매니폴드로부터 상기 반응관 내까지 상승한 제1 노즐을 개재하여 원료 가스를 공급하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 매니폴드에 설치되고 상기 매니폴드로부터 상기 반응관 내까지 상승한 제2 노즐을 개재하여 산화 가스를 공급하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산화막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실을 제공하는 공정; 및 상기 처리실 내를 클리닝하는 공정;을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다. |
