发明名称 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS
摘要 본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 웨이퍼의 연마면이 접촉한 상태로 자전하는 연마 패드와; 상기 연마 패드의 반경 방향 성분을 갖도록 연장된 아암과; 상기 아암에 설치되어 상기 연마 패드의 표면과 접촉하면서 회전하는 제1컨디셔닝 디스크와; 상기 아암에 설치되어 상기 연마 패드의 표면과 접촉하면서 회전하는 제2컨디셔닝 디스크를; 포함하여 구성되어, 2개 이상의 컨디셔닝 디스크에 의하여 연마 패드에 대하여 정확한 가압력을 인가하면서 제어가 용이하고 웨이퍼의 연마 품질을 향상시킬 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.
申请公布号 KR20170005983(A) 申请公布日期 2017.01.17
申请号 KR20150096250 申请日期 2015.07.07
申请人 주식회사 케이씨텍 发明人 채희성;조현기;최재영
分类号 H01L21/304;H01L21/02;H01L21/67 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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