| 摘要 |
CVD에 의해 불순물이 적은 금속막을 고스루풋으로 성막할 수 있는 금속막의 성막 방법을 제공하는 것이다. 처리 용기 내에 피처리 기판을 배치하고, 피처리 기판 상에, 분자 구조 중에 질소 - 탄소 결합을 가지는 배위자를 가지고, 배위자 중의 질소가 금속에 배위한 구조를 가지는 금속 함유 화합물로 이루어지는 성막 원료와, 암모니아, 히드라진 및 이들의 유도체로부터 선택된 적어도 1 종으로 이루어지는 환원 가스를 공급하여, CVD에 의해 초기 금속막을 성막하는 제 1 공정과, 이 후, 처리 용기 내로 수소 가스를 공급하여 피처리 기판에 대하여 수소 처리를 행하는 제 2 공정과, 피처리 기판에 형성된 초기 금속막 상에, 제 1 공정과 동일한 금속 함유 화합물로 이루어지는 성막 원료와, 수소 가스로 이루어지는 환원 가스를 공급하여, CVD에 의해 주 금속막을 성막하는 제 3 공정에 의해 금속막을 성막한다. |
