| 摘要 |
트랜지스터 디바이스는 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 기판, 제 1 영역 위의 제 1 부분 및 제 2 영역 위의 제 2 부분을 갖는 제 1 반도체 물질의 제 1 반도체층을 포함하고, 제 1 부분은 제 2 부분과 분리된다. 트랜지스터 디바이스는 제 1 반도체층의 제 2 분분 위의 제 2 반도체 물질의 제 2 반도체층, 제 1 전도성 유형의 제 1 트랜지스터, 및 제 2 전도성 유형의 제 2 트랜지스터를 포함하고, 제 1 트랜지스터는 제 1 반도체층에 형성된 제 1 세트의 소스/드레인 영역을 갖고 제 1 영역 내에 배치되며, 제 2 트랜지스터는 제 2 반도체층에 형성된 제 2 세트의 소스/드레인 영역을 갖고 제 2 영역 내에 배치된다. 제 1 전도성 유형은 제 2 전도성 유형과 상이하고, 제 2 반도체 물질은 제 1 반도체 물질과 상이하다. |
