发明名称 Semiconductor Device Having an Interconnection Structure
摘要 배선 구조체를 갖는 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 반도체 기판 상에 배치되는 반도체 패턴; 상기 반도체 패턴 상에 배치되는 메모리 셀 어레이; 및 상기 반도체 패턴과 상기 반도체 기판 사이에 배치되는 주변 배선 구조체를 포함한다. 상기 주변 배선 구조체는 상부 배선 구조체 및 상기 상부 배선 구조체 하부의 하부 배선 구조체를 포함하고, 상기 상부 배선 구조체는 상부 배선 및 상부 배리어 층을 포함하고, 상기 하부 배선 구조체는 하부 배선 및 하부 배리어 층을 포함하고, 상기 상부 배리어 층은 상기 상부 배선의 바닥면 하부에 배치되며 상기 상부 배선의 측면을 덮지 않고, 상기 하부 배리어 층은 상기 하부 배선의 바닥면 하부에 배치되며 상기 하부 배선의 측면을 덮는다.
申请公布号 KR20170005660(A) 申请公布日期 2017.01.16
申请号 KR20150096024 申请日期 2015.07.06
申请人 삼성전자주식회사 发明人 이도현;박영우;박정훈;이재덕
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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