| 摘要 |
본 발명은, 전계 효과 이동도가 높고, 온 전류가 큰 박막트랜지스터를 제공한다. 본 발명은, 게이트 전극과, 게이트 전극을 덮어서 설치된 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위에, 게이트 전극과 중첩해서 설치된 반도체층과, 반도체층상의 일부에 설치되어서 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 불순물 반도체층과, 불순물 반도체층 위에 설치된 배선층을 갖고, 소스 영역 및 드레인 영역의 폭은, 반도체층의 폭보다도 작고, 반도체층의 폭은, 적어도 소스 영역과 드레인 영역의 사이에 있어서 확대된 박막트랜지스터로 한다. |
