| 摘要 |
Le circuit intégré (IC) comprend un substrat (S) et au moins un transistor MOS (TGE) comportant une région de grille (RG) enterrée dans une tranchée (T) du substrat (S), débouchant sur une face supérieure (FS) du substrat (S), et entourée par une région diélectrique (RDI) tapissant les parois internes de la tranchée (T), une région de source (RS) et une région de drain (RD) situées respectivement dans le substrat (S) de part et d'autre de la tranchée (T) au voisinage de ladite face supérieure (FS), ladite région diélectrique (RDI) possédant une zone diélectrique supérieure (ZDS) située au moins partiellement entre une partie supérieure (PS) de la région de grille (RG) et les régions de source (RS) et de drain (RD), et une zone diélectrique inférieure (ZDI) moins épaisse que la zone diélectrique supérieure (ZDS) et située entre une partie inférieure (PI) de la région de grille (RG) et le substrat (S). |
