发明名称 Ein Dielektrikumsstapel und eine Isolatoreinrichtung
摘要 Dielektrische Struktur, aufweisend: eine erste Schicht (90) aus einem ersten Typ von Dielektrikum, bei einem Substrat ausgebildet, und eine zweite Schicht (92) aus dem ersten Dielektrikum, auf der ersten Schicht ausgebildet, wobei die zweite Schicht durch eine Peripherie begrenzt ist und mindestens einige Teile der zweiten Schicht (92) sich nicht zu einer oder über eine Peripherie (90a) der ersten Schicht erstrecken, und weiterhin aufweisend eine Schicht aus einem zweiten Dielektrikum (304), über einer obersten (94) der Schichten aus dem ersten Dielektrikum ausgebildet, wobei die Schicht aus dem zweiten Dielektrikum eine höhere Permittivität als das erste Dielektrikum besitzt.
申请公布号 DE202016105810(U1) 申请公布日期 2017.01.13
申请号 DE201620105810U 申请日期 2016.10.18
申请人 Analog Devices Global 发明人
分类号 H01L23/58;H01B3/02;H01F19/00;H01F27/32;H01L25/065 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人
主权项
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