摘要 |
Dielektrische Struktur, aufweisend: eine erste Schicht (90) aus einem ersten Typ von Dielektrikum, bei einem Substrat ausgebildet, und eine zweite Schicht (92) aus dem ersten Dielektrikum, auf der ersten Schicht ausgebildet, wobei die zweite Schicht durch eine Peripherie begrenzt ist und mindestens einige Teile der zweiten Schicht (92) sich nicht zu einer oder über eine Peripherie (90a) der ersten Schicht erstrecken, und weiterhin aufweisend eine Schicht aus einem zweiten Dielektrikum (304), über einer obersten (94) der Schichten aus dem ersten Dielektrikum ausgebildet, wobei die Schicht aus dem zweiten Dielektrikum eine höhere Permittivität als das erste Dielektrikum besitzt. |