发明名称 THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 본원의 일 실시예는 표시영역에 대응한 셀 어레이, 및 표시영역의 외곽인 비표시영역 중 일부영역에 대응한 GIP를 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판에 있어서, 상기 GIP는, 기판 상에 형성되는 제 1 배선; 상기 기판 상의 전면에 상기 제 1 배선을 덮도록 형성되는 제 1 절연막; 상기 제 1 절연막 상에 형성되는 제 2 배선; 상기 제 1 절연막 상의 전면에 상기 제 2 배선을 덮도록 형성되는 제 2 절연막; 상기 제 2 절연막 상의 전면에 형성되는 제 3 절연막; 및 상기 제 3 절연막 상에 형성되고, 제 1 및 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 1 및 제 2 배선 사이를 연결하는 제 3 배선을 포함하고, 상기 제 3 절연막은 상기 제 1 및 제 2 콘택홀에 대응하도록 제거되는 제 1 영역, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀 사이의 이격영역에 대응하고 제 1 두께범위로 형성되는 제 2 영역, 및 상기 제 1 및 제 2 영역을 제외한 나머지이고 상기 제 1 두께범위와 상이한 제 2 두께범위로 형성되는 제 3 영역을 포함하고, 상기 제 1 두께범위의 최소값은 상기 제 2 두께범위의 최대값보다 큰 박막트랜지스터 어레이 기판을 제공한다.
申请公布号 KR101695296(B1) 申请公布日期 2017.01.13
申请号 KR20120154291 申请日期 2012.12.27
申请人 엘지디스플레이 주식회사 发明人 장진희
分类号 G02F1/1368;H01L29/786 主分类号 G02F1/1368
代理机构 代理人
主权项
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